OH12AF 锑化铟霍尔元件

OH12AF锑化铟(InSb)霍尔元件概述型号:OH12AF 工作温度:-40~120℃ 封装:SOT143 包装:3000只/盘 锑化铟(InSb)霍尔元件是用化合物半导体材料锑化铟制成,以霍尔效应为工作原理,可将磁场强度信号线性的转变成电压信号。典型应用检测磁性物质的旋转或者位置(用在无刷直流电机,无触点开关)检测磁场(如无接触电流传感器等)极限参数 (Ta=25℃)参数符号量值单位

  • 外型: SOT143
  • 功能: 线性
  • 品牌:
  • 应用: 位置检测,磁性检测,电流检测

OH12AF锑化铟(InSb)霍尔元件

概述

型号:OH12AF  工作温度:-40120℃   封装:SOT143   包装:3000/

 

锑化铟(InSb)霍尔元件是用化合物半导体材料锑化铟制成,以霍尔效应为工作原理,可将磁场强度信号线性的转变成电压信号。


典型应用

检测磁性物质的旋转或者位置(用在无刷直流电机,无触点开关)

检测磁场(如无接触电流传感器等


极限参数 (Ta=25)


参数

符号

量值

单位

输入电流

Imax

20 (at 25)

mA

功耗

Pmax

150 (at 25)

mW

工作温度范围

Top

-40 +120

储藏温度范围

Tst

-40 +150

电参数 (Ta=25)

参数

符号

检测条件

最小值

最大值

单位

霍尔输出电压

VH

Vin1V, B500G(恒压)

266

320

mV

输入电阻

Rin

I0.1mA

240

550

Ω

输出电阻

Rout

I0.1mA

240

550

Ω

不等位电压

Vo

Vin1V, B0G

-7

+7

mV

输出电压的温度系数

αVH

Ta040 AVG.

-

-1.8

% /

输入输出电阻的温度系数

αRi

Ta040 AVG.

-

-1.8

% /

 

霍尔输出电压VH为实测值减区VO值,即VHVHMVO,

 VHM : 500GS下测得的输出电压值)


图片关键词

图片关键词OH12AF.pdf


图片关键词

图片关键词

Contact Ouzhuo